Warning: Use of undefined constant category_ - assumed 'category_' (this will throw an Error in a future version of PHP) in /srv/www/roots/www.dianrong1.com/wp-content/themes/xsdingg/single.php on line 10

CX7509:18W内置MOS小功率PD协议芯片

时间:2019-4-29 分享到:

CX7509,18W PD前端电源芯片推荐,提供CX7509规格书下载,CX7509样片索样申请,CX7509方案开发及技术支持。

CX7509是一颗低功耗离线式开关电源控制芯片,用于 18W 以内的方案。内置跳频、抖频等功能,可以减小待机功耗,改善系统的 EMI 性能,更易满足相关的国际标准。
CX7509概述:

CX7509是一颗电流模式 PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 18W 以

内的方案。 在 PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者
轻载时,工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的
工作效率。 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以
此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路,当电路工作于大占空比时,避免次谐波振
荡的发生,改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时(Leading-edge blanking time),消除缓冲网络中的二
极管反向恢复电流对电路的影响。 采用了抖频技术,能够有效改善系统的 EMI 性能。系统
的跳频频率设置在音频(22KHz)以上,在工作时可以避免系统产生噪音。 内置多种保护,包
括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(VDD OVP),VDD 过压箝位,欠压保护(UVLO),
过温保护(OTP)等,通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控
制。
二、特点
全电压范围(90Vac-265Vac)输入时待机功耗小于 100mW
内置 650V 高压功率管
4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力
抖频功能,改善 EMI 性能
跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
无噪声工作
固定 65KHz 开关频率
内置同步斜坡补偿
低启动电流,低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能
过载保护(OLP),逐周期限流保护(OCP)
VDD 过压保护(VDD OVP),欠压保护(UVLO),VDD 电压箝位
过温保护(OTP)

SOP8 无铅封装

 CX7509:18W内置MOS小功率PD协议芯片

三、应用范围
充电器
PDA、数码相机、摄像机电源适配器
机顶盒电源
开放框架式开关电源

个人电脑辅助电源

 CX7509:18W内置MOS小功率PD协议芯片

版权所有:http://www.dianrong1.com 转载请注明出处