本文主要针对两电平15KW SIC充电桩的解决方案进行了详细的分析，同时简述了其他功率的充电桩设计方案。跟着小编一起来看看吧！
两电平15KW SIC充电桩的方案简介
两电平15KW SIC充电桩方案拓扑仍与主流拓扑结构一致，如图1所示，采用VIENNA整流升压（AC/DC）+全桥LLC逆变+整流，最终输出直流电给电动汽车充电，其核心技术卖点在全桥LLC逆变电路采用1200V SIC MOSFET做两电平H桥(4颗MOS)替换CoolMOS三电平全桥（6颗MOS），可实现更小的体积和更高的效能，同时两电平控制比三电平简单，不但能降低系统成本，还可缩短研发周期。
图1：两电平15kw SIC充电桩方案拓扑
逆变电路最低损耗：全桥LLC+SIC MOSFET
全桥LLC软开关技术配上零损耗的SIC MOSFET可将损耗降到最低，电路如图2所示，而SIC MOSFET推荐CREE的全新C2M系列 SIC MOSFET，在低导通电阻下具有高阻断电压，便于并联使用，非常容易驱动。具体型号推荐选用漏源电压为1200V的SIC MOSFET，型号为C2M0025120D。该型号SIC MOSFET连续续流电流在常温下为90A，在100℃时候为60A，用于15KW的EV charger的DC/DC上，比传统的SI材料的IGBT在开关损耗上降低很多，如图3所示，使逆变器的整体效率提上到一个较高的层次。
图2：全桥LLC ZVS谐振DC/DC转换（两电平）
图3：传统的SI材料IGBT和SIC MOSFET开关波形
其他功率的充电桩设计方案如何设计呢?
1）如做更低功率的10KW、12KW充电模块，可以选用4pcs 80mΩ的SIC MOSFET做H桥，推荐型号为C2M0080120D 1200V/20A，RDS(on)=80mΩ。如想更好的散热，可选用8pcs 160mΩ的SIC MOSFET，推荐型号为C2M0160120D 1200V/11A，RDS(on)=160mΩ。
2）如做15KW~20KW的充电模块，推荐用8pcs 80mΩ的SIC MOSFET实现。
为便于设计者更直观的看到如上推荐的SIC MOSFET型号设计参数，提供如下表1供设计者选型使用。
表1：CREE C2M SIC MOSFET主要型号技术参数对照表
