单片机STM32F407如何外扩SRAM存储器芯片

在设计的过程中，我们在使用单片机STM32F407如果遇到数据内存不够使用，需要进行外扩SRAM存储器芯片，那应该如何设置，
可以采用IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的SRAM存储器芯片作为存储的外扩芯片，
首先实现 IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的访问，需要对 FSMC进行哪些配置。
以上是大概步骤的诠释：
步骤如下：
 

1. 1.使能 FSMC 时钟，并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。

 
 在使用FSMC前，我们要先将其时钟开启。然后把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相关IO接口，通通改为复用输出的配置，最后使能各 IO 组的时钟。
 
 使能 FSMC 时钟的方法：
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 设置 FSMC BANK1 区域 3。
 
FSMC BANK1 区域 3已经包括设置区域 3 的SRAM存储器的位宽、工作模式和读写时序等等。我们启动使用模式 A、16 位宽，并让读写共同使用一个时序寄存器。
使用的函数是：
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 区域 3。
 
使用的函数是：
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
 
 
以上三个步骤，我们就完成了对FSMC的配置设置，设置完毕后就可以访问IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF），需要注意的一点，我们选择 BANK1 的区域3使用，因此 HADDR[27:26]=10，而外部内存的首地址设置为 0X68000000。
 
在单片机设计de的过程中我们可以遇到不同容量的型号考虑选择，以下是同类型型号的选择，可以作为参考