快充及高通快充的普及,目前市面上已有多款设备支持了快充,现在,骊微电子为你们推荐节省颗外围的极简、具成本优势的快充方案。
PN8161MOSFETQR-PWMQR-PFMBurst-modeSoftDriverEMI包括同步整流控制器及高雪崩能力功率,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。内置电压降极低的功率以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足级能效的标准,并留有足够的裕量。集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。
18WPD
18W PDPN8161+PN8307H输入电压:90~265Vac
输出规格:12V1.5A9V2A5V3A
,个点裕量
PCBA48.0mm*36.0mm*14mm
、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。
PN8161+PN8307H 18W PD节省10无启动电阻、无CSSOP8满足CoC V5 Tier 2待机功耗;工作曲线随输出电压自适应,不同输出电压下平均效率裕量均大于个点;
EMC抖频幅度随负载自适应,改善传导;DCM/QR宽输出电压范围:PN8161/PN8307HLDO架构,方案易满足。
快充方案已经量产出货,并得到了市场的高度认可和支持,同时18W PD12V1.5A9V2A5V3A