概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进, 包括芯片集电结附近 (下层) 结构的改进 (透明集电区) , 耐压层附近 (中层) 结构的改进 (NPT, FS/SPT等) 和近表层 (上层) 结构的改进 (沟槽栅结构, 注入增强结构等) , 以及由它们组合成的NPT-IGBT, Trench IGBT, Trenchstop-IGBT, SPT, SPT+, IEGT, HiGT, CSTBT等。
1 引言
由于MOSFET, IGBT是驱动功耗十分低的电压驱动型功率半导体开关器件, 它们将进一步促进功率半导体集成技术 (PIC, IPM等) 的快速发展, 进而易于与信息电子技术密切结合, 由它们所引起的电力电子技术的变革堪称是一场革命。
2 IGBT基本结构与主要发展方向
图1示出已成熟投产的穿通型IGBT (Punch Through IGBT, 简称PT-IGBT) 的原理结构。
2.2 IGBT的发展方向
3 改进IGBT性能的技术新概念
集电区层 (下层) 结构的新概念———透明集电区技术, 把IGBT集电极的空穴注入效率降低到0.5以下, 使通过集电结的总电流中电子流起主要作用, 一般达70%以上。在IGBT关断时, n-区存储的过剩电子能透过集电区迅速流出, 实现快速关断。因此, 无需用寿命控制技术。这样不仅得到了高开关速度, 更重要的是具有了UCE sat和Ron正温度系数的宝贵性能, 同时关断损耗随温度变化也很小。这种温度性能可粗浅理解为透明集电区IGBT更接近于n-区电导调制的MOSFET。
n-耐压层 (中层) 结构的新概念———电场中止 (Field Stop, 简称FS) 技术, 其核心是在n-耐压层与p型集电区之间加入一个比n-区宽度小而掺杂浓度更高的n+型缓冲层。按照泊松方程使电场强度在该层中迅速减小到零而达到电场中止, 同时提高n-区的电阻率, 从而以较薄的耐压层实现同样的击穿电压。其主要优点是, 耐压层的减薄可使通态电阻降低和关断损耗减小, 后者是因为通态时存储的载流子总量减少。图2示出n-区的3种宽度设计选择: (1) 耗尽层在工作电压和击穿电压下都穿通的n-区, 属于重穿通, 为FS型; (2) 耗尽层在工作电压下不穿通, 而在击穿电压下穿通n-区, 属于轻穿通, 轻穿通 (LPT) FS有时也称为“软穿通” (SPT) , 亦为FS型; (3) 耗尽层在工作电压和击穿电压下都不穿通n-区, 此时无需缓冲层, 为非穿通型。